今年是我国启动“半导体照明工程”十周年。近日，中科院半导体照明研发中心主任李晋闽向《中国科学报》记者介绍说，我国在基于GaN基LED的白光照明技术方面已取得突飞猛进的发展。在350毫安的工作电流下，白光LED的发光效率从2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。

　　据了解，半导体照明的能源消耗只有普通白炽灯的1/10，但其寿命可达10万小时以上。据估算，如果半导体照明能占领我国1/3的照明市场，每年可节电2000亿度，相当于两个多三峡电站的发电量。

　　2003年，在时任半导体所所长李晋闽的建议下，科技部经过深入调研和组织，正式启动“国家半导体照明工程”。2004年，数十家企业和科研单位联合开展半导体照明关键技术攻关。2006年，经过两年的筹备后，中科院半导体照明研发中心正式成立。

　　李晋闽介绍说，中心在深紫外LED研究方面结出了累累硕果。2008年，中心成功制备国内首支发光波长在300纳米以下的深紫外LED器件，实现了器件的毫瓦级功率输出。“十二五”以来，在“863”项目支持下，由中科院半导体所牵头、国内优势单位参与，目前已成功将深紫外LED的输出功率提高到接近4毫瓦（20毫安电流下）。

　　同时，研发中心在LED产业的核心——MOCVD装备核心技术开发方面进展顺利，初步研制出48片生产型MOCVD设备，为实现产业化开创了良好局面；研发出HVPE生长系统，并在推广型立式HVPE系统上开发出HVPE GaN自支撑衬底的生长技术。

　　在推动高科技成果转化方面，中科院半导体照明研发中心也成就斐然。在与中心进行技术合作的两大企业中，中材集团入股的扬州中科半导体照明有限公司和另一家湖南企业的生产规模均进入国内前五强，销售额达到十几个亿。

　　“下一步，我们将加大研发力度，加快推动LED产业核心生产设备的国产化，争取抢占半导体照明产品技术、标准的制高点。”李晋闽表示。

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